Datasheet > 存储 > SRAM> AS7C3364NTF32B-80TQCN

AS7C3364NTF32B-80TQCN

更新时间： 2024-02-23 09:16:13

品牌	Logo	应用领域
ALSC		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	418K
描述
3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS7C3364NTF32B-80TQCN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	250
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

AS7C3364NTF32B-80TQCN 数据手册

浏览型号AS7C3364NTF32B-80TQCN的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号AS7C3364NTF32B-80TQCN的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号AS7C3364NTF32B-80TQCN的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号AS7C3364NTF32B-80TQCN的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号AS7C3364NTF32B-80TQCN的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号AS7C3364NTF32B-80TQCN的Datasheet PDF文件第7页

April 2005

AS7C3364NTF32B

AS7C3364NTF36B

3.3V 64K × 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD^TM

Features

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3V core power supply

• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

• Organization: 65,536 words × 32 or 36 bits

™

• NTD architecture for efficient bus operation

DDQ

• Fast clock to data access: 7.5/8.0/10.0 ns

• Fast OE access time: 3.5/4.0 ns

• Fully synchronous operation

• Flow-through mode

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP package

• Byte write enables

• Clock enable for operation hold

Logic block diagram

A[15:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

LBO

64K x 32/36

SRAM

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

Output

Buffer

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-75

-80

-10

Units

Minimum cycle time

8.5

7.5

260

110

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

8.0

230

100

200

Maximum CMOS standby current (DC)

4/28/05, v 1.0

Alliance Semiconductor

P. 1 of 19

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与AS7C3364NTF32B-80TQCN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS7C3364NTF32B-80TQI	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF32B-80TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-10TQC	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-10TQCN	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-10TQI	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-10TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-75TQC	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-75TQCN	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-75TQI	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C3364NTF36B-75TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

与AS7C3364NTF32B-80TQCN相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

7
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS7C3364NTF32B-80TQCN

AS7C3364NTF32B-80TQCN 技术参数

AS7C3364NTF32B-80TQCN 数据手册

与AS7C3364NTF32B-80TQCN相关器件

与AS7C3364NTF32B-80TQCN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS7C3364NTF32B-80TQCN

AS7C3364NTF32B-80TQCN 技术参数

AS7C3364NTF32B-80TQCN 数据手册

与AS7C3364NTF32B-80TQCN相关器件

与AS7C3364NTF32B-80TQCN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？