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AS7C3364NTF32B-75TQCN

更新时间： 2024-01-14 02:15:24

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路静态存储器
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19页	418K
描述
3.3V 64K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

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AS7C3364NTF32B-75TQCN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.62	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm

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April 2005

AS7C3364NTF32B

AS7C3364NTF36B

3.3V 64K × 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD^TM

Features

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3V core power supply

• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

• Organization: 65,536 words × 32 or 36 bits

™

• NTD architecture for efficient bus operation

DDQ

• Fast clock to data access: 7.5/8.0/10.0 ns

• Fast OE access time: 3.5/4.0 ns

• Fully synchronous operation

• Flow-through mode

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP package

• Byte write enables

• Clock enable for operation hold

Logic block diagram

A[15:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

LBO

64K x 32/36

SRAM

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

Output

Buffer

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-75

-80

-10

Units

Minimum cycle time

8.5

7.5

260

110

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

8.0

230

100

200

Maximum CMOS standby current (DC)

4/28/05, v 1.0

Alliance Semiconductor

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