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AS7C332MFT18A-75TQC

更新时间： 2024-01-01 12:30:25
品牌 Logo 应用领域
ALSC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 512K
描述
3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

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AS7C332MFT18A-75TQC 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.51
Is Samacsys：N最长访问时间：7.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：37748736 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：100字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX18封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

AS7C332MFT18A-75TQC 数据手册

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AS7C332MFT18A  
®
Synchronous truth table[4]  
[2]  
CE01  
H
L
CE1  
X
L
CE2  
X
X
X
H
H
L
ADSP ADSC ADV WRITE  
OE  
X
X
X
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Hi−Z  
Hi−Z  
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External  
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External  
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Continue read  
Continue read  
Suspend read  
Suspend read  
Continue read  
Continue read  
Suspend read  
Suspend read  
Begin write  
Continue write  
Continue write  
Suspend write  
Suspend write  
L
H
L
Next  
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Current  
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3
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L
D
D
D
D
L
L
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H
H
L
Current  
Current  
L
1 X = don’t care, L = low, H = high  
2 For WRITE, L means any one or more byte write enable signals (BWa or BWb) and BWE are LOW or GWE is LOW. WRITE = HIGH for all BWx, BWE,  
GWE HIGH. See "Write enable truth table (per byte)," on page 6 for more information.  
3 For write operation following a READ, OE must be high before the input data set up time and held high throughout the input hold time  
4 ZZ pin is always Low.  
12/23/04, v 1.3  
Alliance Semiconductor  
7 of 19  
1...45678910...19

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS7C332MFT18A-75TQCN ALSC 3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

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AS7C332MFT18A-75TQI ALSC 3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

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