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AS7C332MFT18A-85TQIN

更新时间: 2024-02-25 20:50:03
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ALSC 存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
19页 512K
描述
3.3V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C332MFT18A-85TQIN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.36Is Samacsys:N
最长访问时间:8.5 ns其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e3
长度:20 mm内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:100
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):245
电源:2.5/3.3,3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.1 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.27 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

AS7C332MFT18A-85TQIN 数据手册

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December 2004  
AS7C332MFT18A  
®
3.3V 2M × 18 Flow-through synchronous SRAM  
Features  
• Organization: 2,097152 words × 18 bits  
• Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns  
• Fast OE access time: 3.5/4.0 ns  
• Fully synchronous flow-through operation  
• Asynchronous output enable control  
• Available in 100-pin TQFP package  
• Individual byte write and global write  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 3.3V core power supply  
• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V  
• Linear or interleaved burst control  
• Snooze mode for reduced power-standby  
• Common data inputs and data outputs  
DDQ  
Logic block diagram  
LBO  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
CLK  
CS  
Burst logic  
2M x 18  
CLR  
Memory  
array  
21 19  
21  
21  
Q
D
A[20:0]  
Address  
CS  
register  
CLK  
18  
18  
2
GWE  
BWb  
D
DQb  
Q
Byte Write  
registers  
BWE  
BWa  
CLK  
D
Q
DQa  
Byte Write  
registers  
CLK  
CE0  
CE1  
OE  
Output  
registers  
D
Q
Q
Input  
registers  
Enable  
register  
CE  
CLK  
CE2  
CLK  
CLK  
D
Enable  
delay  
register  
CLK  
Power  
down  
ZZ  
OE  
18  
DQ[a,b]  
Selection guide  
-75  
8.5  
7.5  
325  
140  
90  
-85  
10  
-10  
12  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
Maximum clock access time  
Maximum operating current  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
8.5  
300  
130  
90  
10  
ns  
275  
130  
90  
mA  
mA  
mA  
12/23/04, v 1.3  
Alliance Semiconductor  
1 of 19  
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