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AS7C25512NTD36A-100TQI PDF预览

AS7C25512NTD36A-100TQI

更新时间： 2024-11-28 04:00:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C25512NTD36A-100TQI 数据手册

 浏览型号AS7C25512NTD36A-100TQI的Datasheet PDF文件第2页 
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ꢉ"ꢏꢌꢈꢓꢄꢏꢕ  
• Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
• Fast clock speeds to 200 MHz in LVTTL/ LVCMOS  
• Fast clock to data access: 3/ 3.4/ 4 ns  
• Fast OEaccess time: 3/ 3.4/ 4 ns  
• 119 BGA (7 x 17 Ball Grid Array package)  
• Byte write enables  
• Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 2.5V core power supply  
• 2.5V I/ O operation  
• Self-timed write cycles  
• Interleaved or linear burst modes  
• Snooze mode for standby operation  
™
• Fully synchronous operation  
• “Flow-through” or “pipelined” mode  
• Asynchronous output enable control  
• Economical 100-pin TQFP package  
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19  
19  
Q
D Address  
register  
Burst logic  
A[18:0]  
CLK  
D
Q
1
CE0  
CE1  
CE2  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
Write delay  
DQPc, NC  
DQc  
DQPb, NC  
DQb  
2
addr. registers  
19  
3
DQc  
DQb  
CLK  
4
V
V
DDQ  
DDQ  
R/W  
BWa  
BWb  
BWc  
5
V
V
SSQ  
SSQ  
6
Control  
logic  
DQc  
DQb  
DQb  
DQb  
DQb  
7
CLK  
DQc  
DQc  
DQc  
8
9
BWd  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
V
V
SSQ  
SSQ  
512K x 32  
SRAM  
ADV / LD  
V
V
DDQ  
DDQ  
DQc  
DQb  
DQb  
FT  
LBO  
ZZ  
TQFP 14 x 20mm  
CLK  
DQc  
Array  
FT  
V
SS  
V
V
DD  
DD  
V
V
DD  
DD  
36/ 32  
36/ 32  
V
SS  
ZZ  
Data  
Register  
CLK  
DQ [a:d]  
Input Q  
D
DQd  
DQd  
DQa  
DQa  
36/ 32  
36/ 32  
V
V
DDQ  
DDQ  
V
V
SSQ  
SSQ  
DQd  
DQa  
DQa  
DQa  
DQa  
DQd  
DQd  
DQd  
36/ 32  
V
V
SSQ  
SSQ  
CLK  
CEN  
V
V
DDQ  
DDQ  
CLK  
DQd  
DQa  
Output  
Register  
DQd  
DQa  
DQPd, NC  
DQPa, NC  
OE  
36/ 32  
Note: Pins 1,30,51,80 are NC for ×32  
OE  
DQ [a:d]  
ꢐꢏꢋꢏꢎꢈꢅꢁꢍꢉꢆꢓꢅꢒꢏ  
-200  
5
-166  
6
-100  
10  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
Maximum pipelined clock frequency  
200  
3.0  
280  
100  
30  
166  
3.4  
230  
70  
100  
4.0  
150  
50  
MHz  
ns  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
Maximum standby current  
mA  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current (DC)  
30  
30  
™
NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.  
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12

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与AS7C25512NTD36A-100TQI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C25512NTD36A-133TQC ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-133TQCN ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-133TQI ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-133TQIN ISSI

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 		ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C25512NTD36A-166TQC ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-166TQCN ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-166TQI ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-166TQIN ALSC

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 		2.5V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C25512NTD36A-200BC ISSI

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 		ZBT SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

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