5秒后页面跳转
AS7C252MFT18A-75TQIN PDF预览

AS7C252MFT18A-75TQIN

更新时间: 2024-11-24 20:20:07
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 508K
描述
Standard SRAM, 2MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

AS7C252MFT18A-75TQIN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.53
Is Samacsys:N最长访问时间:7.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e3长度:20 mm
内存密度:37748736 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

AS7C252MFT18A-75TQIN 数据手册

 浏览型号AS7C252MFT18A-75TQIN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C252MFT18A-75TQIN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C252MFT18A-75TQIN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C252MFT18A-75TQIN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C252MFT18A-75TQIN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C252MFT18A-75TQIN的Datasheet PDF文件第7页 
January 2005  
AS7C252MFT18A  
®
2.5V 2M × 18 Flow-through synchronous SRAM  
Features  
• Organization: 2,097152 words × 18 bits  
• Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns  
• Fast OE access time: 3.5/4.0 ns  
• Fully synchronous flow-through operation  
• Asynchronous output enable control  
• Available in 100-pin TQFP package  
• Individual byte write and global write  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 2.5V core power supply  
• Linear or interleaved burst control  
• Snooze mode for reduced power-standby  
• Common data inputs and data outputs  
Logic block diagram  
LBO  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
CLK  
CS  
Burst logic  
2M x 18  
CLR  
Memory  
array  
21 19  
21  
21  
Q
D
A[20:0]  
Address  
CS  
register  
CLK  
18  
18  
2
GWE  
BWb  
D
DQb  
Q
Byte Write  
registers  
BWE  
BWa  
CLK  
D
Q
DQa  
Byte Write  
registers  
CLK  
CE0  
CE1  
OE  
Output  
D
Q
Q
Input  
registers  
Enable  
register  
CE  
CLK  
CE2  
registers  
CLK  
CLK  
D
Enable  
delay  
register  
CLK  
Power  
down  
ZZ  
OE  
18  
DQ[a,b]  
Selection guide  
-75  
8.5  
7.5  
325  
130  
90  
-85  
10  
-10  
12  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
Maximum clock access time  
Maximum operating current  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
8.5  
300  
130  
90  
10  
ns  
275  
130  
90  
mA  
mA  
mA  
1/17/05, v 1.2  
Alliance Semiconductor  
1 of 19  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  

与AS7C252MFT18A-75TQIN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C252MFT18A-85BCN ALSC

获取价格

Standard SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
AS7C252MFT18A-85BIN ALSC

获取价格

Standard SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
AS7C252MFT18A-85TQC ALSC

获取价格

2.5V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM
AS7C252MFT18A-85TQCN ALSC

获取价格

2.5V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM
AS7C252MFT18A-85TQI ALSC

获取价格

2.5V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM
AS7C252MFT18A-85TQI ISSI

获取价格

暂无描述
AS7C252MFT18A-85TQIN ALSC

获取价格

2.5V 2M x 18 Flow-through synchronous SRAM
AS7C252MFT18A-85TQIN ISSI

获取价格

Standard SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C252MNTD18A ALSC

获取价格

2.5V 2M x 18 Pipelined SRAM with NTD
AS7C252MNTD18A-133TQC ALSC

获取价格

2.5V 2M x 18 Pipelined SRAM with NTD