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AS7C251MNTD32A-200BC

更新时间： 2024-02-04 16:13:38
品牌 Logo 应用领域
ALSC 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

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AS7C251MNTD32A-200BC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40
针数：165Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：6.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e0长度：17 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：165字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.46 mm最大待机电流：0.06 A
最小待机电流：2.38 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.4 mA最大供电电压 (Vsup)：2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：2.375 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM宽度：15 mm

AS7C251MNTD32A-200BC 数据手册

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AS7C251MNTD32A  
AS7C251MNTD36A  
®
165-ball BGA - top view for 1M X 36  
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R
1 A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.  
4/26/04, V 1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 22  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS7C251MNTD32A-200BCN ALSC ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165

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