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AS7C251MNTD32A-200BC

更新时间: 2024-01-02 19:58:14
品牌 Logo 应用领域
ALSC 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

AS7C251MNTD32A-200BC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LBGA, BGA165,11X15,40
针数:165Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:6.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0长度:17 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:165字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA165,11X15,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.46 mm最大待机电流:0.06 A
最小待机电流:2.38 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.4 mA最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM宽度:15 mm

AS7C251MNTD32A-200BC 数据手册

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AS7C251MNTD32A  
AS7C251MNTD36A  
®
Pin and ball assignment  
100-pin TQFP - top view  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
NC/DQPc  
DQc0  
DQPb/NC  
DQb7  
DQb6  
80  
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51  
DQc1  
V
V
DDQ  
DDQ  
V
V
SSQ  
SSQ  
DQc2  
DQc3  
DQc4  
DQc5  
DQb5  
DQb4  
DQb3  
DQb2  
V
V
10  
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12  
SSQ  
SSQ  
V
V
DDQ  
DDQ  
DQc6  
DQc7  
FT  
DQb1  
DQb0  
13  
14  
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26  
V
SS  
TQFP 14 x 20mm  
V
NC  
DD  
NC  
V
DD  
V
ZZ  
DQa7  
DQa6  
SS  
DQd0  
DQd1  
V
V
DDQ  
DDQ  
V
V
SSQ  
SSQ  
DQd2  
DQd3  
DQd4  
DQd5  
DQa5  
DQa4  
DQa3  
DQa2  
V
V
V
SSQ  
SSQ  
DDQ  
V
27  
28  
29  
30  
DDQ  
DQd6  
DQd7  
NC/DQPd  
DQa1  
DQa0  
DQPa/NC  
Note: For pins 1, 30, 51, and 80, NC applies to the x32 configuration. DQPn applies to the x36 configuration.  
4/26/04, V 1.0  
Alliance Semiconductor  
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