Datasheet > AS5C512K8EC-15LE/XT

AS5C512K8EC-15LE/XT

更新时间： 2024-10-28 06:37:55

品牌	Logo	应用领域
AUSTIN		静态存储器
页数	文件大小	规格书
17页	229K
描述
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS5C512K8EC-15LE/XT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SON, SOLCC36,.45	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDSO-N36
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC	封装代码：	SON
封装等效代码：	SOLCC36,.45	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.0045 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

AS5C512K8EC-15LE/XT 数据手册

浏览型号AS5C512K8EC-15LE/XT的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号AS5C512K8EC-15LE/XT的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号AS5C512K8EC-15LE/XT的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号AS5C512K8EC-15LE/XT的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号AS5C512K8EC-15LE/XT的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号AS5C512K8EC-15LE/XT的Datasheet PDF文件第7页

SRAM

AS5C512K8

Austin Semiconductor, Inc.

PIN ASSIGNMENT

512K x 8 SRAM

HIGH SPEED SRAM with

(Top View)

REVOLUTIONARY PINOUT

36-Pin SOJ (DJ, ECJ & SOJ)

36-Pin CLCC (EC)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

•SMD 5962-95600

•SMD 5962-95613

•MIL-STD-883

FEATURES

• Ultra High Speed Asynchronous Operation

• Fully Static, No Clocks

• Multiple center power and ground pins for improved

noise immunity

• Easy memory expansion with CE\ and OE\

options

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Single +5V Power Supply +/- 10%

• Data Retention Functionality Testing

• Cost Efficient Plastic Packaging

• Extended Testing Over -55ºC to +125ºC for plastics

• Plastic 36 pin PSOJ is fully compatible with the

Ceramic 36 pin SOJ and offered in lead free finish

• 3.3V Future Offering

36-Pin Flat Pack (F)

OPTIONS

• Timing

MARKING

12ns access

15ns access

17ns access

20ns access

25ns access

35ns access

45ns access

-12

-15

-17

-20

-25

-35

-45

• Operating Temperature Ranges

Full Military (-55^oC to +125^oC)

Military (-55^oC to +125^oC)

Industrial (-40^oC to +85^oC)

/883C

GENERAL DESCRIPTION

The AS5C512K8 is a high speed SRAM. It offers flexibility in

high-speed memory applications, with chip enable (CE\) and output

enable (OE\) capabilities. These features can place the outputs in

High-Z for additional flexibility in system design.

• Package(s)

Ceramic LCC

Ceramic Flatpack

Plastic SOJ (Lead Free)*

Ceramic SOJ (attached formed lead) ECJ

Ceramic SOJ SOJ

* Pb finish also available, contact factory

Writing to these devices is accomplished when write enable (WE\)

and CE\ inputs are both LOW. Reading is accomplished when WE\

remains HIGH and CE\ and OE\ go LOW.

As a option, the device can be supplied offering a reduced power

standby mode, allowing system designers to meet low standby power

requirements. This device operates from a single +5V power supply

and all inputs and outputs are fully TTL-compatible.

• 2V data retention/low power

The AS5C512K8DJ offers the convenience and reliability of the

AS5C512K8 SRAM and has the cost advantage of a durable plastic.

The AS5C512K8DJ is footprint compatible with 36 pin CSOJ

package of the SMD 5692-95600.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS5C512K8

Rev. 7.0 05/08

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与AS5C512K8EC-15LE/XT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS5C512K8EC17	MICROSS	获取价格	Memory IC
AS5C512K8EC-17/883C	ETC	获取价格	x8 SRAM
AS5C512K8EC-17/H	AUSTIN	获取价格	512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT
AS5C512K8EC-17/IT	ETC	获取价格	x8 SRAM
AS5C512K8EC-17/XT	ETC	获取价格	x8 SRAM
AS5C512K8EC17E	MICROSS	获取价格	Memory IC
AS5C512K8EC-17E/883C	ETC	获取价格	x8 SRAM
AS5C512K8EC-17E/IT	ETC	获取价格	x8 SRAM
AS5C512K8EC-17E/XT	MICROSS	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, LCC-36
AS5C512K8EC17L	MICROSS	获取价格	Memory IC

与AS5C512K8EC-15LE/XT相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

13
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

13
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

40
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS5C512K8EC-15LE/XT

AS5C512K8EC-15LE/XT 技术参数

AS5C512K8EC-15LE/XT 数据手册

与AS5C512K8EC-15LE/XT相关器件

与AS5C512K8EC-15LE/XT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS5C512K8EC-15LE/XT

AS5C512K8EC-15LE/XT 技术参数

AS5C512K8EC-15LE/XT 数据手册

与AS5C512K8EC-15LE/XT相关器件

与AS5C512K8EC-15LE/XT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？