5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA219,16X16,50 | 针数： | 219 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.8 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 125 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B219 | JESD-609代码： | e4 |
| 内存密度： | 1207959552 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 219 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16MX72 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA219,16X16,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 2.03 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | PALLADIUM GOLD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4DDR16M72PBG | AUSTIN | 16Mx72 DDR SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
获取价格 |
|
| AS4DDR232M64PBG | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
获取价格 |
|
| AS4DDR232M64PBG | MICROSS | iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
获取价格 |
|
| AS4DDR232M64PBG-3 | MICROSS | iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
获取价格 |
|
| AS4DDR232M64PBG-3/ET | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
获取价格 |
|
| AS4DDR232M64PBG-3/ET | MICROSS | DDR DRAM, 32MX64, 0.45ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-255 |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
