是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 255 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.17 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B255 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 255 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32MX64 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.03 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 25 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS4DDR232M64PBG-3/IT | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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AS4DDR232M64PBG-3/IT | MICROSS | DDR DRAM, 32MX64, 0.45ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-255 |
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AS4DDR232M64PBG-3/XT | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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AS4DDR232M64PBG-3/XT | MICROSS | DDR DRAM, 32MX64, 0.45ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-255 |
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AS4DDR232M64PBG-38 | MICROSS | iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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AS4DDR232M64PBG-38/ET | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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