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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 255 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B255 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 32 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 255 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32MX64 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.03 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 25 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4DDR232M64PBG-5 | MICROSS | iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR232M64PBG-5/ET | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR232M64PBG-5/IT | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR232M64PBG-5/IT | MICROSS | DDR DRAM, 32MX64, 0.6ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-255 |
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| AS4DDR232M64PBG-5/XT | AUSTIN | 32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR232M64PBG-5/XT | MICROSS | DDR DRAM, 32MX64, 0.6ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-255 |
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