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AS4C1M16F5-60TI

更新时间: 2024-02-22 03:23:41
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

AS4C1M16F5-60TI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数:50Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.78访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44/50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS4C1M16F5-60TI 数据手册

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AS4C1M16F5  
®
Upper byte early write waveform  
tRC  
tRAS  
tRP  
RAS  
tASR  
tRAD  
tRAL  
tRAH  
Row address  
Column address  
Address  
tCAH  
tRSH  
tASC  
tRCD  
tCSH  
tCAS  
tCRP  
tCRP  
UCAS  
tCRP  
tRPC  
LCAS  
tCWL  
tWCH  
tRWL  
tWCS  
tWP  
WE  
OE  
tDS  
tDH  
Data in  
Upper DQ  
Lower DQ  
Lower byte early write waveform  
tRC  
tRAS  
tRP  
RAS  
tRAD  
tRAL  
tASR  
Row address  
tCRP  
tRAH  
Address  
UCAS  
Column address  
tRPC  
tASC  
tCAH  
tRCD  
tCAS  
tCSH  
tRSH  
tCRP  
tCRP  
LCAS  
tRWL  
tCWL  
tWCH  
tWP  
tWCS  
WE  
OE  
Upper DQ  
tDS  
tDH  
Data in  
Lower DQ  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 10 of 21  

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