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AS4C1M16F5-60TI

更新时间： 2024-02-06 01:47:31

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AS4C1M16F5-60TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.78	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.135 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

AS4C1M16F5

AS4C1M16F5 part numbering system

AS4

1M16E0

–XX

Package:

Temperature range

DRAM prefix

C = 5V CMOS Device number RAS access time J = 42-pin SOJ 400 mil

T=44/50-pin TSOP II 400 mil

C=Commercial, 0°C to 70°C

I=Industrial, -40°C to 85°C

4/11/01; v.0.9.1

Alliance Semiconductor

P. 21 of 21

1...18 19 2021

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C1M16S-6TIN	ALSC	1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	获取价格
AS4C1M16S-7TCN	ALSC	1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	获取价格
AS4C1M16S-CI	ALSC	Programmable Mode registers	获取价格
AS4C256K16E0	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-30	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格
AS4C256K16E0-30JC	ALSC	5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)	获取价格