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AS4C1M16E5-60TI

更新时间： 2024-02-02 08:25:33

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ALSC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C1M16E5-60TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ42,.44
针数：	42	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	JESD-609代码：	e0
长度：	27.31 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.135 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4C1M16E5-60TI 数据手册

AS4C1M16E5

Hyper page mode early write waveform

t_RASP

t_RAH

t_RWL

RAS

t_CRP

t_RCD

t_PC

t_CSH

t_CAH

t_ASC

t_CAS

t_CP

t_RSH

t_WCS

UCAS,

LCAS

t_RAL

t_AR

t_ASR

t_RAD

Row address

Col address

Address

Col address

t_CWL

t_WP

t_OEH

t_WCH

t_HDR

t_OED

t_DH

t_DS

Data in

Data In

Data in

Hyper page mode byte early write waveform

t_RASP

t_RP

RAS

t_CSH

t_RSH

t_CAS

t_CRP

t_RCD

t_CAS

UCAS

LCAS

t_CP

t_HPC

t_CAS

t_CRP

t_RPC

t_RAD

t_RAH

t_RAL

t_CAH

t_ASC

Column 2

t_ASC

t_ASR

t_ASC

Column 1

Address

Row

Column n

t_RWL

t_WCS

t_CWL

t_WCH

t_WP

t_WCH

t_WCS

t_WP

t_CWL

t_DS

t_DH

Data In 2

Lower DQ

Upper DQ

t_DH

t_DS

t_DH

t_DS

Data in n

Data in 1

4/11/01; v.1.0

Alliance Semiconductor

P. 16 of 22

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