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AS4C1M16E5-50JI

更新时间： 2024-01-23 20:08:35

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C1M16E5-50JI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.24	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

AS4C1M16E5-50JI 数据手册

AS4C1M16E5

Package dimensions

42-pin SOJ

Min Max

0.128 0.148

0.025

0.105 0.115

0.026 0.032

0.015 0.020

0.007 0.013

1.070 1.080

0.370 NOM

SOJ

E1 E2

Pin 1

0.395 0.405

0.435 0.445

0.050 NOM

Seating

Plane

50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40

36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26

50-pin TSOP II

Min

Max

(mm)

A₁

A₂

1.2

TSOP II

H_e

0.05

0.95

1.05

0.45

0.30

10 11

15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

0.12

0.21

20.85

10.03

11.56

21.05

10.29

11.96

H_e

0.80 (typical)

0.40 0.60

A₂

0–5°

A₁

Capacitance ¹⁵

ƒ = 1 MHz, T_a= Room temperature

Parameter

Symbol

C_IN1

Signals

Test conditions

V_in= 0V

Max

Unit

A0 to A9

Input capacitance

DQ capacitance

C_IN2

RAS, UCAS, LCAS, WE, OE

DQ0 to DQ15

V_in= 0V

C_DQ

V_in= V_out= 0V

4/11/01; v.1.0

Alliance Semiconductor

P. 21 of 22

1...18 19 202122

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