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AS29LV800B-70RTC

更新时间： 2024-01-06 14:49:40
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

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AS29LV800B-70RTC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.28最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

AS29LV800B-70RTC 数据手册

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March 2001  
AS29LV800  
®
ID Sector address table  
Bottom boot sector address  
(AS29LV800B)  
Top boot sector address  
(AS29LV800T)  
Sector  
0
A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12  
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1
1
X
READ codes  
Mode  
A18–A12  
A6  
L
A1  
L
A0  
Code  
52h  
MFR code (Alliance Semiconductor)  
X
X
X
X
X
L
×8 T boot  
×8 B boot  
×16 T boot  
×16 B boot  
L
L
H
H
H
H
DAh  
L
L
5Bh  
Device code  
L
L
22DAh  
225Bh  
L
L
01h protected  
00h unprotected  
Sector protection  
Sector address  
L
H
L
Key: L =Low (<V ); H = High (>V ); X =Don’t care  
IL  
IH  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 25  
12345678...25

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AS29LV800B-70RTI ANADIGICS 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

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AS29LV800B-70RTI ALSC Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48

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