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AS29LV016BRG-100/XT

更新时间: 2024-02-27 19:35:21
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
40页 402K
描述
16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory

AS29LV016BRG-100/XT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1-48
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.25Is Samacsys:N
最长访问时间:100 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e4长度:18.4 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

AS29LV016BRG-100/XT 数据手册

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COTS PEM  
BOOT SECTOR FLASH  
Austin Semiconductor, Inc.  
AS29LV016  
DOCUMENT TITLE  
16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit), CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory  
REVISION HISTORY  
Rev #  
History  
Release Date  
Status  
2.1  
Added Pb-Free & Tape & Reel Option  
October 2008  
Release  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS29LV016  
Rev. 2.1 10/08  
40  

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