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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21 |
| 针数： | 21 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | 3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X21 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 21 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 176 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 310 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT50TDU60PG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 50 |
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| APTGT50TL601G | MICROSEMI |
获取价格 |
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT50TL601G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 50Silic |
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| APTGT50TL60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT50TL60T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 50Silic |
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| APTGT50X120BTP3 | ADPOW |
获取价格 |
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT50X120BTP3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| APTGT50X120RTP3 | ADPOW |
获取价格 |
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT50X120RTP3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
|
| APTGT50X120RTP3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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