5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> APTGT50TDU170PG
APTGT50TDU170PG PDF预览

APTGT50TDU170PG

更新时间： 2024-11-29 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 260K
描述
Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

APTGT50TDU170PG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X21
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：6端子数量：21
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1050 ns标称接通时间 (ton)：450 ns
Base Number Matches：1

APTGT50TDU170PG 数据手册

 浏览型号APTGT50TDU170PG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APTGT50TDU170PG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APTGT50TDU170PG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APTGT50TDU170PG的Datasheet PDF文件第5页 
APTGT50TDU170PG  
Triple Dual Common Source  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1700V  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
Application  
C1  
C3  
C5  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
G1  
G3  
G5  
Features  
E1  
E2  
E3  
E4  
E5  
E6  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G6  
G2  
G4  
C2  
C4  
C6  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
High level of integration  
Kelvin emitter for easy drive  
Benefits  
C 1  
C 3  
C 5  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
G1  
E1  
G3  
E3  
G5  
E5  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
E2  
E4  
G4  
E6  
G6  
G2  
C 2  
C 4  
C 6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual  
common source configuration of three times the  
current capability  
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
VCES  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1700  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
70  
50  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
100  
±20  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
310  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
100A @ 1600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

中文翻译

下载PDF

与APTGT50TDU170PG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT50TDU170PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 50S
APTGT50TDU60P ADPOW

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TDU60PG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TDU60PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 50
APTGT50TL601G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TL601G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 50Silic
APTGT50TL60T3G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TL60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 50Silic
APTGT50X120BTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X120BTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

与APTGT50TDU170PG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证