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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 140 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 12 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 610 ns | 标称接通时间 (ton)： | 340 ns |
| VCEsat-Max： | 2.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT100DU120TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silic |
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| APTGT100DU170T | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT100DU170TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT100DU170TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 100Silicon |
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| APTGT100DU60T | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT100DU60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT100DU60TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silico |
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| APTGT100H120 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT100H120G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100H120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon type |
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