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APTGT100H170 PDF预览

APTGT100H170

更新时间： 2024-11-24 03:40:35
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 275K
描述
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT100H170 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X12
元件数量：4端子数量：12
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1100 ns标称接通时间 (ton)：450 ns
Base Number Matches：1

APTGT100H170 数据手册

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APTGT100H170  
Full - Bridge  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1700V  
IC = 100A @ Tc = 80°C  
Application  
VBUS  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
G1  
E1  
G3  
E3  
Features  
OUT1 OUT2  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Q2  
Q4  
Low tail current  
G2  
E2  
G4  
E4  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
0/VBUS  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
OUT1  
OUT2  
•
High level of integration  
G1  
E1  
G2  
VBUS  
0/VBUS  
E2  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
E4  
G4  
E3  
G3  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
1700  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
V
TC = 25°C  
150  
100  
200  
±20  
560  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 125°C 200A @ 1600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT100H170相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT100H170G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100H170G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:
APTGT100H60T ADPOW

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100H60T3 ADPOW

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100H60T3G MICROSEMI

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100H60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:
APTGT100H60TG MICROSEMI

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100H60TG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:
APTGT100SK120D1 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT100SK120D1 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Trench IGBT Power Module

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