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APTGT100H60TG

更新时间： 2024-11-27 06:37:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT100H60TG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X14	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	14	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	340 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	370 ns
标称接通时间 (ton)：	180 ns	VCEsat-Max：	1.9 V
Base Number Matches：	1

APTGT100H60TG 数据手册

APTGT100H60TG

Full - Bridge

Trench + Field Stop IGBT^®

Power Module

V_CES= 600V

I_C= 100A @ Tc = 80°C

Application

•

Welding converters

VBUS

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

Features

OUT1

•

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

OUT2

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

NTC1

NTC2

0/VBU S

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

Lead frames for power connections

•

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

Benefits

OUT2

OUT1

•

Stable temperature behavior

Very rugged

VBUS

0/VBUS

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

NTC2

NTC1

RoHS Compliant

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

600

150

100

200

±20

340

T_C= 25°C

T_C= 80°C

T_C= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

T_C= 25°C

T_j= 150°C

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

200A @ 550V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note

APT0502 on www.microsemi.com

1 - 5

www.microsemi.com

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT100H60TG-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:
APTGT100SK120D1	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT100SK120D1	ADPOW	获取价格	Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100SK120D1G	MICROSEMI	获取价格	Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100SK120T	ADPOW	获取价格	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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