5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT100H60T3G
APTGT100H60T3G PDF预览

APTGT100H60T3G

更新时间： 2024-11-24 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 267K
描述
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

APTGT100H60T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25针数：25
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.47外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e1
元件数量：4端子数量：25
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：340 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：370 ns标称接通时间 (ton)：180 ns
VCEsat-Max：1.9 VBase Number Matches：1

APTGT100H60T3G 数据手册

 浏览型号APTGT100H60T3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APTGT100H60T3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APTGT100H60T3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APTGT100H60T3G的Datasheet PDF文件第5页 
APTGT100H60T3G  
Full - Bridge  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 100A* @ Tc = 80°C  
Application  
13 14  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
CR1  
22  
CR3  
11  
10  
18  
19  
Features  
7
8
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
23  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Q2  
29  
Q4  
CR2  
CR4  
26  
27  
4
3
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
30  
31  
32  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
15  
16  
R1  
-
Symmetrical design  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
30  
16  
15  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
RoHS Compliant  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
•
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
150 *  
100 *  
200  
±20  
340  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
200A @ 550V  
* Specification of IGBT device but output current must be limited to 75A to not exceed a delta of temperature greater  
than 30°C for the connectors.  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

中文翻译

下载PDF

与APTGT100H60T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT100H60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:
APTGT100H60TG MICROSEMI

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100H60TG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:
APTGT100SK120D1 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT100SK120D1 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100SK120D1G MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100SK120T ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100SK120TG MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100SK170D1 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100SK170D1G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor

与APTGT100H60T3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证