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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT601R6GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-257ISO |
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| APT601R6KN | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT601R6KN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6020B2VFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT6020B2VFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6020LVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT6020LVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6020LVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6020LVR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6020LVRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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