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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | , | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT6020B2VFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT6020B2VFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6020LVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT6020LVFRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6020LVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6020LVR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6020LVRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6021BFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT6021BFLL_04 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT6021BLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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