5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT6010B2LLG
APT6010B2LLG PDF预览

APT6010B2LLG

更新时间： 2024-11-09 12:52:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压
页数 文件大小 规格书
5页 265K
描述
POWER MOS 7 MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

APT6010B2LLG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.12Is Samacsys：N
其他特性：FAST SWITCHING, HIGH VOLTAGE雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：54 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：216 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT6010B2LLG 数据手册

 浏览型号APT6010B2LLG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT6010B2LLG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT6010B2LLG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT6010B2LLG的Datasheet PDF文件第5页 
600V 54A 0.100Ω  
APT6010B2LL APT6010LLL  
APT6010B2LL* APT6010LLLG*  
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
R
B2LL  
POWER MOS 7 MOSFET  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with Microsemi's  
patented metal gate structure.  
T-MAX™  
TO-264  
LLL  
D
S
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• Increased Power Dissipation  
• Easier To Drive  
G
• Popular T-MAX™ or TO-264 Package  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT6010B2_LLL  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
600  
54  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
216  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
Watts  
W/°C  
690  
PD  
5.52  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
54  
1
EAR  
EAS  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
50  
4
3000  
STATICELECTRICALCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Volts  
Ohms  
BVDSS  
RDS(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
600  
2
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, ID = 27A)  
0.100  
100  
500  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 600V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 480V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
IDSS  
µA  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
12345

中文翻译

下载PDF

APT6010B2LLG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT6010B2LL MICROSEMI

功能相似

 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po

与APT6010B2LLG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT6010JFLL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT6010JFLL MICROSEMI

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT6010JFLLE3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT6010JLL MICROSEMI

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT6010JLL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT6010LFLL MICROSEMI

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT6010LFLL ADPOW

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT6010LFLLE3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT6010LFLLG MICROSEMI

获取价格

 		POWER MOS 7 FREDFET
APT6010LLL MICROSEMI

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po

与APT6010B2LLG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证