Datasheet > APT19M120J

APT19M120J

更新时间： 2024-11-24 04:32:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	279K
描述
N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT19M120J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	2165 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (ID)：	19 A
最大漏源导通电阻：	0.53 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

APT19M120J 数据手册

APT19M120J

1200V, 19A, 0.56Ω Max

N-Channel MOSFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

"UL Recognized"

file # E145592

ISOTOP^®

APT19M120J

Single die MOSFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• PFC and other boost converter

• Fast switching with low EMI/RFI

• Buck converter

• Low R_DS(on)

• Two switch forward (asymmetrical bridge)

• Single switch forward

• Flyback

• Ultra low C_rssfor improved noise immunity

• Low gate charge

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

• Inverters

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

104

±30

2165

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

545

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

0.23

°C/W

R_θCS

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Waveform from Terminals to Mounting Base for 1 Min.)

0.15

T_J,T_STG

V_Isolation

°C

-55

150

2500

1.03

29.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Terminals and Mounting Screws.

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APT19M120J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT19M120J_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT200GN60B2G	MICROSEMI	获取价格	Field Stop IGBT
APT200GN60J	ADPOW	获取价格	Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
APT200GN60J	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
APT200GN60JDQ4	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT200GN60JDQ4	ADPOW	获取价格	IGBT
APT200GT60JR	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT200GT60JRDL	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
APT200GT60JRDQ4	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT200-T	NUVOTEM TALEMA	获取价格	ADSL Transformers for Alcatel Chipsets

与APT19M120J相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT19M120J

APT19M120J 技术参数

APT19M120J 数据手册

与APT19M120J相关器件

与APT19M120J相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT19M120J

APT19M120J 技术参数

APT19M120J 数据手册

与APT19M120J相关器件

与APT19M120J相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？