是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | ISOTOP |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.49 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 250 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | JESD-609代码: | e1 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 682 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 1210 ns |
标称接通时间 (ton): | 75 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT200GN60JDQ4 | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules | |
APT200GN60JDQ4 | ADPOW |
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IGBT | |
APT200GT60JR | MICROSEMI |
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Thunderbolt IGBT | |
APT200GT60JRDL | MICROSEMI |
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Resonant Mode Combi IGBT | |
APT200GT60JRDQ4 | MICROSEMI |
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Thunderbolt IGBT | |
APT200-T | NUVOTEM TALEMA |
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ADSL Transformers for Alcatel Chipsets | |
APT2012CGCK | KINGBRIGHT |
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2.0x1.25mm SMD CHIP LED LAMP | |
APT2012EC | KINGBRIGHT |
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2.0x1.25mm SMD CHIP LED LAMP | |
APT2012ECT | KINGBRIGHT |
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Single Color LED, High Efficiency Red, 1.3mm, | |
APT2012F3C | KINGBRIGHT |
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2.0x1.25 mm INFRARED EMITTING DIODE |