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APT200GN60J

更新时间: 2024-11-24 12:47:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 半导体射频
页数 文件大小 规格书
44页 2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

APT200GN60J 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:ISOTOP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.49外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):250 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X4JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):682 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1210 ns
标称接通时间 (ton):75 nsBase Number Matches:1

APT200GN60J 数据手册

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