APT17F120J

更新时间： 2024-11-24 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel FREDFET

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APT17F120J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	2165 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.58 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT17F120J 数据手册

APT17F120J

1200V, 18A, 0.58Ω Max, t ≤330ns

N-Channel FREDFET

POWERMOS8^®isahighspeed,highvoltageN-channelswitch-modepowerMOSFET. This

-2

'FREDFET'versionhasadrain-source(body)diodethathasbeenoptimizedforhighreliability

in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft recovery, and high

recoverydv/dtcapability. Lowgatecharge,highgain,andagreatlyreducedratioofC /C

rss iss

"UL Recognized"

file # E145592

result in excellent niose immunity and low switching loss. The intrinsic gate resistance and

capacitance of the poly-silicon gate structure help control di/dt during switching, resulting in

low EMI and reliable paralleling, even when switching at very high frequency.

ISOTOP^®

APT17F120J

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

for improved noise immunity

rss

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

104

±±0

2165

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

545

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

0.2±

°C/W

R_θCS

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Wavefomr from Terminals to Mounting Base for 1 Min.)

0.15

T_J,T_STG

V_Isolation

°C

-55

150

2500

1.0±

29.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Terminals and Mounting Screws.

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT17N80CC3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT17N80CC3	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 800V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
APT17N80SC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
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