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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.816 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT17M120JCU3 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper dio |
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| APT17N80BC3 | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
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| APT17N80CC3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT17N80CC3 | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 800V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| APT17N80SC3 | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
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| APT17NTR-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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| APT17Z-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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| APT17ZTR-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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| APT18-2722 | AGILENT |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max, |
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| APT18-2722R | AGILENT |
获取价格 |
6000MHz - 18000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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