5秒后页面跳转
APT18-3032R PDF预览

APT18-3032R

更新时间: 2024-09-16 19:05:39
品牌 Logo 应用领域
安捷伦 - AGILENT 射频微波
页数 文件大小 规格书
3页 63K
描述
Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max,

APT18-3032R 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.14特性阻抗:50 Ω
构造:MODULE最大输入功率 (CW):20 dBm
最大工作频率:18000 MHz最小工作频率:6000 MHz
最高工作温度:50 °C最低工作温度:
射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWER最大电压驻波比:2
Base Number Matches:1

APT18-3032R 数据手册

 浏览型号APT18-3032R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT18-3032R的Datasheet PDF文件第3页 

与APT18-3032R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT18-3038 AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max,
APT18-3038R AGILENT

获取价格

6000MHz - 18000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT-18646 AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max,
APT-18646R AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max,
APT-18649 AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max,
APT-18649R AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 18000MHz Max,
APT18F60B MICROSEMI

获取价格

N-Channel FREDFET
APT18F60S MICROSEMI

获取价格

N-Channel FREDFET
APT18H60B MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT18H60S MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met