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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP40P03GI
AP40P03GI PDF预览

AP40P03GI

更新时间： 2024-11-18 08:31:55
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
4页 42K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP40P03GI 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

AP40P03GI 数据手册

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AP40P03GI  
Pb Free Plating Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼Lower On-resistance  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-30V  
28mΩ  
-30A  
▼Simple Drive Requirement  
▼Fast Switching Characteristic  
▼RoHS Compliant  
G
Description  
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
TO-220CFM(I)  
S
The TO-220CFM isolation package is universally preferred for all  
commercial-industrial through hole applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
-30  
A
-18  
A
-120  
31.3  
0.25  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
W
Linear Derating Factor  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Thermal Resistance Junction-case  
Thermal Resistance Junction-ambient  
Max.  
Max.  
4
Rthj-a  
62  
Data and specifications subject to change without notice  
200407062-1/4  
1234

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与AP40P03GI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP40P03GI-HF A-POWER

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 		Lower On-resistance, Simple Drive Requirement
AP40P03GJ A-POWER

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP40P03GJ-HF A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP40P03GP A-POWER

获取价格

 		Lower Gate Charge Simple Drive Requirement
AP40R-100KG-2 FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 15Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40R-100KG-2-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 15Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40R-100KG-4 FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 15Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40R-100KG-4-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 15Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40R-100KG-5 FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 15Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40R-100KG-5-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 15Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,

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