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AP2302L

更新时间： 2024-01-23 11:10:18

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BCDSEMI		稳压器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
12页	140K
描述
2A DDR TERMINATION REGULATOR

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AP2302L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302L 数据手册

Preliminary Datasheet

2A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2302L

Typical Performance Characteristics

V_CNTL=3.3V

V_IN=2.5V

V_CNTL=3.3V

V_IN=2.5V

V_OUT=1.25V

-40

-20

100

120

-20

100

120

Junction Temperature (^oC)

Figure 4. Sourcing Current vs. Junction Temperature

Figure 5. Sinking Current vs. Junction Temperature

650

600

650

600

550

V_CNTL=5.0V

V_CNTL=3.3V

V_IN=2.5V

500

-40

-20

100

120

-40

-20

100

120

Junction Temperature (^oC)

Figure 7. Threshold Voltage vs. Junction Temperature

Figure 6. Threshold Voltage vs. Junction Temperature

Jul. 2006 Rev. 1. 2

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

1...3 4 567 8 9...12

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