AP2302GN

更新时间： 2024-02-25 01:25:04

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2302GN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302GN 数据手册

AP2308GEN

f=1.0MHz

100

I _D=1.2A

V _DS=10V

_DS=12V

_DS=16V

C _iss

C _oss

C _rss

0.5

1.5

2.5

V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Q _G, Total Gate Charge (nC)

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

Duty factor=0.5

1ms

10ms

100ms

0.2

0.1

0.05

P_DM

0.01

0.1

0.01

Single Pulse

Duty factor = t/T

Peak T_j= P_DMx R_thja+ T_a

T _A=25 ^oC

R_thja= 270℃/W

Single Pulse

0.01

0.001

0.0001

0.1

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

t , Pulse Width (s)

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

V_DS

V_G

90%

Q_G

4.5V

Q_GS

Q_GD

10%

V_GS

t_d(on)

t_d(off)t_f

t_r

Charge

Fig 11. Switching Time Circuit

Fig 12. Gate Charge Circuit

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