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AP2301N-HF

更新时间： 2024-01-24 20:14:10

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富鼎先进 - A-POWER		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	56K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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AP2301N-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.59
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2301N-HF 数据手册

AP2301N-HF

T _A=25 ^o

T _A= 150 ^o

-5.0V

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-5.0V

-4.5V

-3.5V

-2.5V

65mΩ

_G= -2.0V

V _G= -2.0V

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

150

130

110

I _D= -1A

T _A=25 ^o

I _D= -2A

_GS= -4.5V

1.6

1.2

0.8

0.4

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage

Fig 4. Normalized On-Resistance

v.s. Junction Temperature

1.6

1.2

0.8

0.4

I _D= -250uA

T _j=150 ^o

T _j=25 ^o

2.01E+08

-50

100

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _SD, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 5. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.

Junction Temperature

1 234

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP2302AGN-HF	TYSEMI	获取价格	Advanced Power MOSFE
AP2302AGN-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge
AP2302D	BCDSEMI	获取价格	3A DDR TERMINATION REGULATOR
AP2302D-E1	BCDSEMI	获取价格	3A DDR TERMINATION REGULATOR
AP2302DTR	BCDSEMI	获取价格	3A DDR TERMINATION REGULATOR
AP2302DTR-E1	BCDSEMI	获取价格	3A DDR TERMINATION REGULATOR
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