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AP2301MTR

更新时间： 2024-02-11 14:57:07

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BCDSEMI		稳压器双倍数据速率
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12页	161K
描述
1.5A DDR TERMINATION REGULATOR

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AP2301MTR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.59
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2301MTR 数据手册

Preliminary Datasheet

1.5A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2301

Electrical Characteristics

(T_J=25^oC, V_IN=2.5V, V_CNTL=3.3V, V_REFEN=1.25V, C_OUT=10µF (Ceramic), unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

Conditions

Ι_L=0Α (Note 4)

Min

Typ

Max Unit

Output Offset Voltage

V_OS

-20

I_L=0 to 1.5A

0.8

1.2

DDR I

I_L=0 to -1.5A

I_L=0 to 1.5A

Load

Regulation

∆V_OUT

V_OUT

DDR II

I_L=0 to -1.5A

No Load

Quiescent Current of V_CNTL

Leakage Current in Shutdown Mode

Protection

I_Q

I_SHDN

V_REFEN<0.2V, R_L=180Ω

µA

Current Limit

I_LIMIT

2.1

0.8

^oC

Thermal Shutdown Temperature

Thermal Shutdown Hysteresis

Shutdown Function

T_SHDN

3.3V ≤V_CNTL≤5V

150

Output = High

Output = Low

Shutdown Threshold Trigger

0.2

Note 4: V_OSis the voltage measurement defined as V_OUTsubtracted from V_REFEN

Jul. 2006 Rev. 1. 3

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

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