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AN90B81

更新时间: 2024-11-12 22:05:43
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 272K
描述
TRANSISTOR ARRAYS

AN90B81 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T18针数:18
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):0.025 A
集电极-发射极最大电压:24 V配置:COMMON COLLECTOR, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PDIP-T18
元件数量:8端子数量:18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON

AN90B81 数据手册

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, DIP-16