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AM29F400BB-75DTE1 PDF预览

AM29F400BB-75DTE1

更新时间： 2024-11-08 20:34:31
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 147K
描述
Flash, 512KX8, 70ns,

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AM29F400BB-75DTE1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIE,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.23最长访问时间：70 ns
其他特性：MIN 1000K WRITE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION ;CAN BE CONFG AS 256K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
数据保留时间-最小值：20JESD-30 代码：X-XUUC-N43
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：43
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：512KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

AM29F400BB-75DTE1 数据手册

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SUPPLEMENT  
Am29F400B Known Good Die  
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory—Die Revision 2  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Embedded Algorithms  
— 5.0 volt-only operation for read, erase, and  
program operations  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Minimizes system level requirements  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
■ Manufactured on 0.32 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F400 device  
■ Minimum 1,000,000 write cycle per sector  
■ High performance  
guaranteed  
— Acess time as fast as 70 ns  
■ Compatibility with JEDEC standards  
■ Low power consumption (typical values at  
— Pinout and software compatible with single-  
power-supply Flash  
5 MHz)  
— 1 µA standby mode current  
— Superior inadvertent write protection  
— 20 mA read current (byte mode)  
— 28 mA read current (word mode)  
— 30 mA program/erase current  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Provides a software method of detecting program  
or erase operation completion  
■ Flexible sector architecture  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
seven 64 Kbyte sectors (byte mode)  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
seven 32 Kword sectors (word mode)  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
— Supports full chip erase  
— Sector Protection features:  
A hardware method of locking a sector to prevent  
any program or erase operations within that  
sector  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
■ 20-year data retention at 125°C  
■ Tested to datasheet specifications at  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
temperature  
■ Quality and reliability levels equivalent to  
■ Top or bottom boot block configurations  
standard packaged components  
available  
Publication# 21258 Rev: E Amendment/+2  
Issue Date: June 14, 1999  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F400BB-75DTE2 AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
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 		Flash, 512KX8, 70ns,
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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
AM29F400BB-75DTI1 AMD

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