是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIE | 包装说明: | DIE-42 |
针数: | 42 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.67 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | TOP BOOT BLOCK | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | TOP | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N42 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,3 | 端子数量: | 42 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX16 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIE |
封装等效代码: | DIE OR CHIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
子类别: | Flash Memories | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F200BT-120DGD1 | SPANSION |
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Flash, 128KX16, 120ns, DIE-42 |
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AM29F200BT-120DGE1 | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev |
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AM29F200BT-120DGE1 | SPANSION |
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Flash, 128KX16, 120ns, DIE-42 |
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AM29F200BT-120DGF1 | SPANSION |
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Flash, 128KX16, 120ns, DIE-42 |
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AM29F200BT-120DGH1 | SPANSION |
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Flash, 256KX8, 120ns |
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AM29F200BT-120DGI1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 128KX16, 120ns, DIE-42 |
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AM29F200BT-120DGI1 | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev |
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AM29F200BT-120DGK1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 128KX16, 120ns, DIE-42 |
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AM29F200BT-120DP1 | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev |
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AM29F200BT-120DPC1 | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev |
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