Datasheet > AM29F017B-120EI

AM29F017B-120EI

更新时间： 2024-11-02 22:09:15

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		/
页数	文件大小	规格书
35页	418K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM29F017B-120EI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE; 20 YEAR DATA RETENTION	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

AM29F017B-120EI 数据手册

PRELIMINARY

Am29F017B

16 Megabit (2 M x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Optimized for memory card applications

■ Embedded Algorithms

— Backwards-compatible with the Am29F016C

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ 5.0 V ± 10%, single power supply operation

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

■ High performance

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

— Access times as fast as 70 ns

sector guaranteed

■ Package options

■ Low power consumption

— 48-pin TSOP

— 25 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— Superior inadvertent write protection

■ Flexible sector architecture

— 32 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased.

— Supports full chip erase

■ Data# Polling and toggle bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Ready/Busy# output (RY/BY#)

— Group sector protection:

— Provides a hardware method for detecting

program or erase cycle completion

A hardware method of locking sector groups to

prevent any program or erase operations within

that sector group

■ Erase Suspend/Erase Resume

Temporary Sector Group Unprotect allows code

changes in previously locked sectors

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Resets internal state machine to the read mode

Publication# 21195 Rev: B Amendment/+2

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...35

中文翻译

下载PDF

与AM29F017B-120EI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F017B-120EIB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F017B-120F4C	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F017B-120F4E	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F017B-120F4I	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F017B-120FC	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F017B-120FCB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F017B-120FE	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F017B-120FEB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F017B-120FI	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F017B-120FIB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

与AM29F017B-120EI相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

9
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

4
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

26
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F017B-120EI

AM29F017B-120EI 技术参数

AM29F017B-120EI 数据手册

与AM29F017B-120EI相关器件

与AM29F017B-120EI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F017B-120EI

AM29F017B-120EI 技术参数

AM29F017B-120EI 数据手册

与AM29F017B-120EI相关器件

与AM29F017B-120EI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？