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AM29F017B-150FE

更新时间： 2024-11-02 23:04:19

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	418K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F017B-150FE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE; 20 YEAR DATA RETENTION
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

AM29F017B-150FE 数据手册

PRELIMINARY

Am29F017B

16 Megabit (2 M x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Optimized for memory card applications

■ Embedded Algorithms

— Backwards-compatible with the Am29F016C

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ 5.0 V ± 10%, single power supply operation

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

■ High performance

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

— Access times as fast as 70 ns

sector guaranteed

■ Package options

■ Low power consumption

— 48-pin TSOP

— 25 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— Superior inadvertent write protection

■ Flexible sector architecture

— 32 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased.

— Supports full chip erase

■ Data# Polling and toggle bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Ready/Busy# output (RY/BY#)

— Group sector protection:

— Provides a hardware method for detecting

program or erase cycle completion

A hardware method of locking sector groups to

prevent any program or erase operations within

that sector group

■ Erase Suspend/Erase Resume

Temporary Sector Group Unprotect allows code

changes in previously locked sectors

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Resets internal state machine to the read mode

Publication# 21195 Rev: B Amendment/+2

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...35

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