是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | REVERSE, TSOP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | 1000K PROGRAM/ERASE CYCLES MIN |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 32 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
反向引出线: | YES | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F017B-70FCB | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F017B-70FE | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F017B-70FEB | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F017B-70FI | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F017B-70FIB | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F017B-75E4C | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F017B-75E4I | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F017B-75EC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F017B-75EI | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM29F017B-75F4C | ETC |
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x8 Flash EEPROM |