生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | PLASTIC, DIP-32 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 12 V | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AM28F020-150JI | AMD |
功能相似 ![]() |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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N28F020-150 | INTEL |
功能相似 ![]() |
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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M28F201-150XK3TR | STMICROELECTRONICS |
功能相似 ![]() |
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM28F020-150JCB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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AM28F020-150JE | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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AM28F020-150JEB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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AM28F020-150JI | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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AM28F020-150JI | ROCHESTER |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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AM28F020-150JIB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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AM28F020-150LC | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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AM28F020-150LE | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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AM28F020-150LEB | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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AM28F020-150LI | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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