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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.41 | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM28F020-150JIB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-150LC | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150LE | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150LEB | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150LI | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150PC | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-150PCB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-150PE | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-150PEB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-150PI | ROCHESTER |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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