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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 闪存 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
21页 | 180K | |
描述 | ||
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.52 |
最长访问时间: | 150 ns | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
长度: | 13.995 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 11.455 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AM28F020-150JC | AMD |
功能相似 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
N28F020-150 | INTEL |
功能相似 |
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M28F201-150XK6R | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XK6TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XN1 | STMICROELECTRONICS |
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256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 | |
M28F201-150XN1R | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XN1TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XN3R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XN3TR | STMICROELECTRONICS |
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2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XN6 | STMICROELECTRONICS |
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256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 | |
M28F201-150XN6R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | |
M28F201-150XN6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |