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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | PLASTIC, DIP-32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.69 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 12 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM28F020-120PCB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120PE | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120PEB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120PI | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120PIB | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-150/BUA | ROCHESTER |
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Flash, 256KX8, 150ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| AM28F020-150/BXA | ETC |
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x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150C3/BXA | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150C3DC | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| AM28F020-150C3DCB | ROCHESTER |
获取价格 |
Flash |
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