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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | TSOP-32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 12 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM28F020-120ECB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120EE | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120EE | ROCHESTER |
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暂无描述 |
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| AM28F020-120EEB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120EI | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120EI | ROCHESTER |
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Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32 |
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| AM28F020-120EIB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120FC | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120FCB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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| AM28F020-120FE | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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