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AM28F020-120LI

更新时间： 2024-11-08 20:17:19

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AM28F020-120LI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	QCCN,
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.69	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	BULK ERASE	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	12 V	座面最大高度：	2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM28F020-120PC	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-120PC	ROCHESTER	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
AM28F020-120PCB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-120PE	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-120PEB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-120PI	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-120PIB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-150/BUA	ROCHESTER	获取价格	Flash, 256KX8, 150ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
AM28F020-150/BXA	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM28F020-150C3/BXA	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM