是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QLCC |
包装说明: | QCCN, LCC20,.35SQ | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.7 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-CQCC-N20 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8.89 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 75 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512X8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC20,.35SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.54 mm |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AM27S29ALCB | AMD |
功能相似 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM27S29ALCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM | |
AM27S29ALM | ROCHESTER |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS | |
AM27S29ALMB | ROCHESTER |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS | |
AM27S29APC | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM | |
AM27S29APCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM | |
AM27S29DC | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM | |
AM27S29DCB | AMD |
获取价格 |
4,096-Bit (512x8) Bipolar PROM | |
AM27S29DCB | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 512X8, 55ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | |
AM27S29DM | ROCHESTER |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS | |
AM27S29DMB | ETC |
获取价格 |
x8 PROM |